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flash_emulateEEprom

FLASHソースコード

1.0.0

ダウンロード

flash_emuleeprom

flashを使用して、 eepromのユーザーエクスペリエンスをシミュレートします

特徴

シンプルで使いやすく、 3つのAPI機能のみが機能します
- void ee_flashInit() ：フォーマットフラッシュ、フォーマットされたフラッシュのみが次の2つのAPI関数を使用できます。
- ee_uint8 ee_readDataFromFlash() ：データを読み取ります
- ee_uint8 ee_writeDataToFlash(); ：データを書き込みます
メンテナンスが簡単ですが、このテーブルを介してフラッシュでデータを読み書きするために、enum可変テーブルvariableLists維持する必要があります
Flashに保存されているデータのサイズとコンテンツを自由に変更できます。
バイトで記述できるすべてのフラッシュ（NORフラッシュ）をサポートします。このプログラムを使用して、spi_flashまたは他のマイクロコントローラーチップでオンチップフラッシュを管理できます。

始める方法は？

最初にヘッダーファイルを入力し、コメントに従って4つのマクロを完全に記入してください

SECTOR_SIZE ：現在のフラッシュのセクターの容量サイズ（フラッシュの最小ストレージユニット）
ee_flashWrite ：フラッシュ書き込み操作ドライバー機能名
ee_flashRead ：フラッシュ操作ドライバー機能名を読み取ります
ee_flashEraseASector ：フラッシュ消去セクター（フラッシュの最小メモリユニット）ドライバー機能名を消去

充填可能なマクロ（詰め物が機能操作に影響しない）

BLOCk_SECTOR_NUM ：フラッシュブロックにはいくつのセクターがありますか？

2つの特別なマクロ：

SECTORS(x) ： xセクターの合計サイズを返します
BLOCKS(x) ： xブロックの合計サイズを返します。このマクロを使用するには、事前にMacro BLOCk_SECTOR_NUMを入力する必要があります。

上記の2つのマクロは、主にee_flashInit()関数のパラメーターを転送するために使用され、フラッシュアドレスの使用を容易にします。

例：

 // 首先在flash_MemMang.h枚举类型中添加数据名，用于管理数据
typedef enum
{
	// 用户将变量名添加到下面
	G_MYSENSORDATA ,
	G_FLOAT ,

	// DATA_NUM用于标识flash中一共存了多少个数据(不允许删改)
	DATA_NUM ,
} variableLists ;

//------------------主函数-------------
/* 创建flash管理句柄 */
ee_flash_t g_fm ;

/* 想要存入flash中的变量 */
int g_mySensorData = 16 ;
float g_float = 3.14 ;

char g_txt [ 20 ] = "change data test" ;

int main ( void )
{
	int dataTmp = 0 ;
	float ftmp = 0 ;
	char tt [ 20 ];

	/* 格式化传入地址的格式 */
	ee_flashInit ( & g_fm ,       /* 管理句柄 */
		     SECTORS ( 0 ),  /* 索引区起始地址 */
		     SECTORS ( 2 ),  /* 交换索引区起始地址 */
		     2 ,           /* 总索引区大小(单位：扇区) */
                     1 ,           /* 索引区大小(详见README图例，indexRegionSize) */
                     SECTORS ( 4 ),  /* 数据区起始地址 */
                     SECTORS ( 5 ),  /* 交换数据区起始地址 */
                     1 );          /* 数据区大小(单位：扇区) */

	/* 数据写入顺序错误，写入失败 */
	ee_writeDataToFlash ( & g_fm , & g_float , sizeof ( g_float ), G_FLOAT );
	ee_writeDataToFlash ( & g_fm , & g_mySensorData , sizeof ( g_mySensorData ), G_MYSENSORDATA );

	/* 正确将数据写入flash */
	ee_writeDataToFlash ( & g_fm , & g_mySensorData , sizeof ( g_mySensorData ), G_MYSENSORDATA );
	ee_writeDataToFlash ( & g_fm , & g_float , sizeof ( g_float ), G_FLOAT );

	/* 将数据读出 */
	ee_readDataFromFlash ( & g_fm , & dataTmp , G_MYSENSORDATA );
	ee_readDataFromFlash ( & g_fm , & ftmp , G_FLOAT );

	/* 将G_FLOAT管理的数据改成g_txt */
	ee_writeDataToFlash ( & g_fm , g_txt , strlen ( g_txt ) + 1 , G_FLOAT );

	/* 再读取一次数据 */
	dataTmp = 0 ;
	ee_readDataFromFlash ( & g_fm , & dataTmp , G_MYSENSORDATA );
	ee_readDataFromFlash ( & g_fm , & tt , G_FLOAT );
	
}

注：

各データサイズは最大64kbです（4GBにアップグレード可能）
各エリアの最大サイズは64kb （4GBにアップグレード可能）
データを記述するときは、列挙表の順序で上から下に書く必要があります（主にデータ領域のアイドルアドレスをすばやくアドレス指定するため）

基本原則

フラッシュは1を0にしか変えず、セクター全体（フラッシュの最小ストレージ構造）を消去することにより、0にしか1に変えることができます。したがって、書かれたアドレスが書かれている場合、それが再び記述された場合、それは必然的に0になったビットを1にし、データの無効化になります。

このプログラムのアイデアは、後で書かれていないエリアに書き直したいデータを書くことです。以前に記述されたデータは無効になり、最新の書面によるデータは有効と見なされます。エリア全体がいっぱいになるまで待って、有効なデータを別の領域に転送し、現在のすべての領域を消去します。

プログラムによって実装されたフラッシュの内部構造図：

void ee_flashInit()のフォーマットフラッシュを実行した後、フォーマットされたフラッシュレイアウトを上の図に示します。

合計インデックスエリア：インデックスエリアと書き換え領域の2つの領域が含まれています
- インデックス領域：各データを保存するために使用されるインデックス構造。各インデックス構造のアドレス位置は固定されています。たとえば、データNo. 1のアドレスは0x00で、データNo. 2のアドレスは0x08です。ユーザーは、インデックス領域のサイズを指定できます。サイズの仕様については、次の式を参照してください。インデックス領域に保存できるデータの数=インデックスエリアのバイトの総数/8
```
 /* 数据索引结构 */
typedef struct 
{
	/* 当前数据状态 */
	ee_uint16 dataStatus ;
	/* 当前数据大小 */
	ee_uint16 dataSize ;
	/* 当前数据在数据区的地址(相对于dataStartAddr的偏移地址) */
	ee_uint16 dataAddr ;
	/* 当前数据被重写的地址(相对于overwriteAddr的偏移地址)，默认为0xFFFF */
	ee_uint16 dataOverwriteAddr ;
} ee_dataIndex ;
```
- 書き換え領域：データインデックス領域のデータが書き換えられた場合、現在の領域に書き換えインデックス構造が保存されます
- カウントエリアの書き換え：プログラムによって自動的に割り当てられているため、ユーザーは気にする必要がありません。この領域は、現在の書き換え領域の数の数の数を記録し、書き換えエリアの自由な場所を見つけるために使用されます。
データ領域：Flashで保存する実際の値を保存します。各値のサイズと読み取りおよび書き込みオフセットアドレスは、インデックス領域のインデックス構造によって管理されます。