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eeprom_in_flash

FLASH源碼

1.0.0

下載

eeprom in flash

介紹

本代碼實現了簡易的flash模擬eeprom功能，只需實現底層的flash操作接口，就可以在頂層調用eeprom接口使用。適合存儲eeprom數據量較少的項目使用

原理

將提供給eeprom使用的flash空間分為兩個分區，每個分區可包含多個擦除頁，擦除時統一擦除。當前使用哪一個分區由開始的USED_MARK決定，實際數據和eeprom虛擬地址共同組成一個編程單元，寫入時新數據依次往後寫入，讀取時以最後一個值為有效值。當一個分區寫滿時會復制數據到另一個分區。

移植說明

將eeprom_in_flash.c和eeprom_in_flash.h複製到工程
實現EE_ErasePart，EE_ProgramWord，EE_ReadWord底層調用接口，可參考eeprom_port示例
修改eeprom_in_flash.h中的宏定義，配置flash地址大小等相關參數
- EEPROM_NUM_MAX：eeprom數據的最大數量，單位為16bit數據的個數。可選範圍受最小分區大小的限制，要小於(EEPROM_PART_SIZE_min/4-1)
- EEPROM_PART0_SIZE/EEPROM_PART1_SIZE：兩個分區的大小，可以是不同大小，每個分區可包含多個擦除頁，為最小擦除頁的整數倍
- EEPROM_START_ADDRESS：用於模擬eeprom的flash起始地址

使用說明

 //参数：eeprom初始化值，NULL则无初始值
int EEPROM_Init ( void * default_data );
int EEPROM_Format ( void * default_data );

//参数Address：eeprom的地址，一个地址保存16bit数据，范围0 - (EEPROM_NUM_MAX-1)
//参数length：读写buf的长度，为16bit数据的个数
uint16_t EEPROM_Read ( uint16_t Address );
int EEPROM_Write ( uint16_t Address , uint16_t Data );
int EEPROM_Read_Buf ( uint16_t Address , uint16_t * buf , uint16_t length );
int EEPROM_Write_Buf ( uint16_t Address , uint16_t * buf , uint16_t length );

//参数addr：eeprom存储空间的地址，单位byte，与上面eeprom的参数呈2倍关系，地址空间不可重复，必须2字节对齐，范围0 - (EEPROM_NUM_MAX-1)*2
//参数length：读写buf的长度，单位字节长度，必须2字节对齐
int Config_Read_Buf ( uint16_t addr , void * buf , uint16_t length );
int Config_Write_Buf ( uint16_t addr , void * buf , uint16_t length );